Назначение
Микроскоп электронно-ионный растровый Quanta 200 3D (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Микроскоп может применяться при проведения научных и прикладных исследований твердотельных образцов, включая наноструктурированные материалы и нанообъекты, в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии, а также в лабораториях промышленных предприятий, научно-исследовательских и учебных организаций.
Описание
Микроскоп представляет собой стационарную автоматизированную измерительную систему, выполненную на базе растрового электронного микроскопа и работающую в диапазоне микро- и наноразмеров.
Микроскоп состоит из электронно-оптической системы (колонны), ионной колонны с таллиевым жидкометаллическим источником ионов, камеры образцов с механизмом их перемещения, детектора вторичных электронов, вакуумной системы, видеоконтрольного устройства, блока электроники.
Вакуумная система включает в себя турбомолекулярный и форвакуумный насосы для откачки рабочей камеры микроскопа и гетероионный насос для обеспечения вакуума в области ионной пушки.
Принцип получения изображения в микроскопе заключается в модуляции яркости монитора видеоконтрольного устройства сигналами, пропорциональными числу зарегистрированных вторичных электронов, возникающих при сканировании сфокусированного электронного или ионного зонда по поверхности объекта. Отношение размера изображения на мониторе к размеру растра на образце определяет увеличение микроскопа.
Наличие сфокусированного ионного зонда позволяет производить локальное контролируемое травление образца ионным пучком, при этом режимы травления регулируются изменением ускоряющего напряжения и тока ионного пучка. Контроль параметров рельефа, модифицированного в результате ионного травления (измерение линейных размеров) осуществляется в режиме растрового электронного микроскопа.
Технические характеристики
| Параметры | Значение |
| Диапазон измерений линейных, размеров элементов топологии, мкм | от 0,05 до 1000 |
| Пределы допускаемой относительной погрешности измерений линейных размеров элементов топологии: - в диапазоне от 0,05 до 0,15 мкм, % - в диапазоне от 0,15 до 1000 мкм, % | ±12 ±5 |
| Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 30 кВ, нм, не более | 32 |
| Источник электронов | Вольфрамовый катод |
| Источник ионов | Жидкометаллический галлиевый |
| Разрешение при ускоряющем напряжении 30 кВ, нм | 3 |
| Напряжение питания переменного тока, В | ZZU -15% |
| Потребляемая мощность, кВт, не более | 4,7 |
| Масса, кг | 1000 |
| Габаритные размеры (длина х ширина х высота), мм | 2820х1350х1800 |
| Рабочие условия эксплуатации: • температура окружающей среды, °C • относительная влажность воздуха, не более, % | 20±3 95 |
Знак утверждения типа
Знак утверждения типа наносится в виде наклейки на корпус микроскопа и на титульный лист руководства по эксплуатации.
Комплектность
В комплект поставки входят: микроскоп электронно-ионный растровый Quanta 200 3D, комплект ЗИП, расходные материалы, руководство по эксплуатации.
Поверка
Поверка микроскопа электронно-ионного растрового Quanta 200 3D проводится по ГОСТ Р 8.631-2007 «Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки».
Средства поверки: мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К.
Межповерочный интервал -1 год.
Нормативные документы
ГОСТ Р 8.631-2007 «Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки».
Заключение
Тип микроскопа электронно-ионного растрового Quanta 200 3D, утвержден с техническими и метрологическими характеристиками, приведенными в настоящем описании типа, и метрологически обеспечен в эксплуатации.
